1. 柵源擊穿電壓BVGS-在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開端劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

2.開啟電壓VT-開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開端構(gòu)成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；-規(guī)范的N溝道MOS管，VT約為3～6V；-經(jīng)過工藝上的改良，能夠使MOS管的VT值降到2～3V。

3. 漏源擊穿電壓BVDS-在VGS=0（加強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開端劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS-ID劇增的緣由有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極左近耗盡層的雪崩擊穿

（2）漏源極間的穿通擊穿-有些MOS管中，其溝道長度較短，不時(shí)增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層不時(shí)擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直承受耗盡層電場的吸收，抵達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID。

4. 直流輸入電阻RGS-即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比-這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示-MOS管的RGS能夠很容易地超越1010Ω。

5. 低頻跨導(dǎo)gm-在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和惹起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)-gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一個(gè)重要參數(shù)-普通在非常之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)。